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石家莊博亞電子科技有限公司

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晶體振蕩器廠家直銷


性能特點:
1.   雙調諧0.1dB切比雪夫響應
2.   高Q變電容管快速調諧
3.   調諧電壓1~20V(DC)、無需其他電源
4.   輸入1dB壓縮點:+10dBm(fc≥90MHz),0dBm(fc<90MHz)
5.   調諧速度≤50us(fc>30MHz)
6.   典型2~3倍頻程移動范圍,分段覆蓋30~1000MHz
7.   微帶輸出小型金屬管殼封裝(A型、B型或定制)
8.   工作條件:-40℃~+85℃
 
性能規范:
電特性 (Z0=50Ω
參數名稱
規范值
3dB分數帶寬
3~10%
分數帶寬變化1
≤1%
中心插損I.L2
2~6dB
各段插損起伏
≤2dB
矩形系數(BW30/BW3
≤7:1
最大駐波比VSWR
2.0:1max
輸入動態范圍P-1
+10dBm(TYP, fc≥90MHz)
0dBm(TYP, fc<90MHz)
電調電壓(VT)
1~20V
注:1)指各段內不同頻率點時3dB分數帶寬的差異
      2)中心插損為典型值,帶寬越寬插損越小。插損確定方法參考下式:
           中心插損*BW3dB%=20~25,例如分數帶寬5%,插損為4~5dB
 
系列產品分段情況:
VT30-110(30~110MHz),VT90-200(90~200MHz),
VT200-400(200~400MHz),VT400-700(400~700MHz),
VT550-865(550~865MHz)
注:其他頻段產品可定制。
實際型號命名示例:VT30-110-5-A,指VT30-110系列,3dB分數帶寬為5%,
“5”代表分數帶寬值,“A”代表“A型”封裝;VT30-110系列為A型封裝,

VT90-200~VT550-865為B型封裝。

石英晶體振蕩器得主要參數
晶振得主要參數會有標稱頻率,負載電容、頻率精度、頻率穩定度等等。不同得晶振標稱頻率會不同,標稱頻率大都標明在晶振外殼之上。如常用普通晶振標稱頻率會有:48kHz、500 kHz、503.5 kHz、1MHz~40.50 MHz等,對于特殊要求得晶振頻率可以達到1000 MHz以上,也有得沒有標稱頻率,如CRB、ZTB、Ja等系列。負載電容是指晶振得兩條引線連接IC塊內部以及外部所有的有效電容之和,可以看作晶振片在電路之中串接電容。
負載頻率不同決定振蕩器得振蕩頻率會不同。標稱頻率相同得晶振,負載電容會不一定相同。因為石英晶體振蕩器有著兩個諧振頻率,一個是串聯揩振晶振得低負載電容晶振:另一個是并聯揩振晶振得高負載電容晶振。所以,標稱頻率相同得晶振互換之時還要必須要求負載電容一至,不能冒然的互換,否則會造成電器的工作不正常。


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